IBM、特许半导体和三星通用平台技术选择ARM

    ARM公司今天宣布，通用平台技术业务合作伙伴IBM、特许半导体和三星电子获得ARM® Artisan®物理IP系列中的Metro ™低功耗与Advantage™高性能产品的授权，用于该技术联盟在45纳米低功耗工艺技术领域的合作。这一ARM库授权协议扩展了四家公司的合作关系，共同保障代工厂客户片上系统（SoC）的设计兼容性及制造灵活性。ARM此前曾宣布与IBM、特许半导体及三星签订65纳米及以下工艺的授权协议，并与IBM和特许半导体签订了90纳米授权协议，迄今都已交付了相关产品。此外，IBM、特许半导体和三星还是ARM Connected Community的成员。   
    ARM Advantage和Metro产品包括ARM标准单元以及输入/输入口（I/O）和存储器，均支持IBM、特许半导体和三星的45nm低功耗通用平台工艺，并针对消费、通信和网络市场众多应用的低功耗、高性能设计进行了优化。此外，通过45纳米工艺对产品进行了完善，以满足客户不断变幻的需求，应对不断涌现的制造挑战。对产品所作的改进包括： 功率门控和电路部署，可在运行时在所有的存储器内实现对性能和泄漏功率的控制；对ARM标准单元功耗管理套件的设计技术所作的完善，可简化在SoC中运用先进的减耗技术；可编程I/O架构和设计技术，可迅速对I/O环进行动态重置，以满足不断变化的系统要求，实现在多个系统中重复使用相同的SoC。   
    IBM科技协作解决方案部半导体技术平台副总裁Steve Longoria表示：“随着业界朝着更先进的技术演进，优化的库成为半导体开发和制造工艺所要求的构建模块之一。基于我们与ARM在65纳米领域的成功合作，我们再次为我们的45纳米通用平台技术选择业界领先的物理IP供应商ARM。有了ARM优化并业已验证的库这样一个基础，我们的客户及其客户就能够获通过在芯片中加入其自身的IP而获益于下一代的技术，并有充分的信心相信通用平台合作伙伴和ARM已经为他们的设计构建了坚实的基础。”
    特许半导体全球市场及平台联盟副总裁Kevin Meyer表示：“通用平台模式是以客户的需求以及满足他们在整个供应基地灵活利用IP投资的需求为中心的。通过与ARM合作以支持多工厂的物理 IP，我们可以加快提供基于业界最先进的45纳米低功耗技术工艺的完全优化的、低功耗、高性能的解决方案。通用平台合作伙伴与ARM之间的这种以客户为中心的合作，为客户可以从开放的生态系统合作所能获得的价值树立了典型。”
    三星半导体技术副总裁Ana Hunter表示：“成功的库供应商对通用平台的成功而言至关重要。与ARM的合作整合了我们四家公司的专长，为客户提供最具竞争优势的标准单元、存储编译器和I/O，并可整合DFM、功耗管理和设计流程集成领域的最新成果。我们期待着与ARM建立强有力的长期合作关系。”
    ARM首席执行官Warren East表示：“将 ARM与通用平台的关系扩展至45纳米技术，帮助SoC设计师实现了工艺性能与功耗优化方面跨时代的跳跃，同时门控密度可达65纳米工艺的两倍。我们与通用平台伙伴的合作模式可实现物理IP与工艺技术和设计方法的同步优化，从而为客户带来卓越的解决方案。”
    所有的ARM物理IP均支持多种电压下的计时和功率，可帮助客户对多电压设计进行精确的流片前（pre-tapeout）仿真。此外，ARM Advantage和Metro套件产品提供可与存储器和标准单元模块共同使用的电压级相移和功率门控单元等库组件，以支持先进的功耗管理方式。
    ARM Advantage和Metro产品符合ARM设计标准，包括ARM广泛的view和模型，它们可实现与业界许多领先的EDA工具的集成。这些view可在多种操作条件下为Advantage和Metro产品提供功能、计时和功耗信息，帮助设计师在他们的SoC中实现复杂的功耗管理系统，从而主动控制其SoC中的动态和泄漏功耗。
    用于IBM、特许半导体和三星45纳米低功耗通用平台技术的ARM Advantage和Metro标准单元和I/O库及存储编译器的初级版本预计将于今年第四季度上市，届时授权客户可从ARM网站http://www.arm.com免费下载。最终版本将于明年第二季度问世。