英飞凌和飞兆半导体达成侵权诉讼和解协议

英飞凌科技股份公司宣布，公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的14项专利。
　　
　　通过广泛的半导体技术专利交叉许可，双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议，飞兆半导体将向英飞凌支付许可费，但协议的具体条款和条件保密。
　　
　　英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院，双方已经达成和解，并将申请撤诉。
　　
　　作为半导体行业的全球领袖，英飞凌目前正在和多家半导体公司进行专利许可谈判。英飞凌认为，这些谈判对持续保护其知识产权和商业利益至关重要。