IBM、英飞凌与旺宏联手推出PCM技术研究计划

IBM、英飞凌和旺宏电子今日宣布，三方将联手推出一个研究计划，以便进一步挖掘一种全新的计算机存储器技术——相变内存（PCM）的巨大潜力。
尽管仍处于开发早期阶段，但这种技术在高速、高密度数据存储方面已经显示出巨大的潜力，并实现了断电时的数据保护。此项技术的这些优良特性将为从高性能服务器到消费电子产品的多种应用带来巨大的利益。
这种创新技术完美融合了IBM在基础材料和物理研究领域的强大实力，英飞凌在内存技术研发及生产方面的超凡能力，以及旺宏电子在非易失性内存技术领域的丰富经验。
“此次合作再次增强了IBM探索内存应用新技术的决心，”IBM研究院科技副总裁T.C. Chen说，“这个计划的目的在于开发用于高性能非易失性内存的新材料，并在内存芯片中对这些材料进行评估。”
“这项计划再次显示了英飞凌在新兴内存技术的评估和开发领域的强大动力，”英飞凌内存产品部技术与开发高级副总裁Wilhelm Beinvogl表示，“通过这次凝聚着各个领域专家智慧的合作，英飞凌进一步延续了自己在合作研发方面的悠久历史。” 
“旺宏电子在非易失性内存的独立和联合开发方面有着悠久的历史。此次PCM研发联盟使我们为客户追求最佳技术和最大价值的理念得到了进一步延续。我们坚信此次PCM联合研发不仅能够使非易失性内存超越现有的浮栅和Nbit（2位/单元）技术，同时还将带来崭新的市场机会，”旺宏电子总裁兼首席执行官吴敏求说道。
研究工作将由分别来自三家公司的约20～25名员工在IBM华生研究中心（美国纽约州约克镇）和阿莫顿研究中心（美国加州圣何塞）进行。