三星电子与东芝开始400Mbit秒高速NAND闪存接口规格

韩国三星电子（Samsung Electronics）与东芝宣布，开发出了面向NAND闪存的接口规格，并且已向JEDEC固态技术协会（Solid State Technology Association）提出了标准化方案。两公司的目标是2011年初实现标准化。接口规格的名称为“Toggle DDR 2.0”，最大数据传输速度为400Mbit/秒。据两公司介绍，这一速度相当于目前广泛普及的NAND闪存的10倍左右。

Toggle DDR 2.0是基于DDR（Double Data Rate）的接口技术。两公司表示通过追加信号噪声对策等功能，可实现高速数据传输。另外，最大数据传输速度为133Mbit/秒的“Toggle DDR 1.0”也已开发完成。东芝目前正在开发采用Toggle DDR 1.0的NAND闪存。实用化时间未公布。