三星2011年下半推出20纳米级制程DRAM

三星电子(SamsungElectronics)2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平，再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示，2010年采用30纳米级制程制造DRAM，2011年上半计划采行20纳米级制程推出产品。三星计划每年提升DRAM制程技术，维护业界领先地位。

　　
　　20纳米后半制程并非采用极紫外线(EUV)这种次世代曝光方式，而是采用既有的浸润方式制作。纳米制程是将半导体电路线幅微缩至人类头发4,000分之1粗细的制造工程。半导体制程越是微细，可以大幅缩减半导体大小，在单一晶圆(wafer)上生产的半导体数量可增加，或降低产品生产的费用。
　　
　　三星计划于2011年下半推出的20纳米级制程DRAM产品，其量产性估计较30纳米级产品提高约60%。三星2009年率先量产40纳米级DRAM产品，接著2010年7月也领先业界首度投入30纳米制程量产作业。海力士(Hynix)目前则是以40纳米制程量产DRAM，并计划2011年初将投入30纳米制程产品量产。
　　
　　日本尔必达(Elpida)和美国美光(Micron)等排名第3、4名的半导体厂目前主要以50纳米级制程量产DRAM产品，并正准备转换为40纳米制程。以DRAM制程技术为基础，三星2010年第3季在DRAM市场上首度将市占率拉抬至40%以上。
　　
　　三星若能依照订定的目标，于2011年下半推出20纳米级制程DRAM产品，无论是在韩国境内或海外，与其它竞争公司的技术能力将有明显差距，在DRAM市场上也将出现三星独大的情况。