东芝将量产19nm工艺64Gbit NAND

东芝宣布其开发出了“全球首款”(该公司)采用19nm工艺的64Gbit NAND型闪存。将从2011年4月底开始样品供货，2011年第三季度(2011年7～9月)开始量产。此次开发的64Gbit NAND芯片是2bit/单元产品，还计划推出3bit/单元产品和1bit/单元产品。不过，这些产品的上市时间目前“尚未确定”(东芝)。
　　近年来，随着智能手机市场的迅速扩大、平板终端的亮相、以及SSD的普及等，针对NAND的大容量化和高速化的要求越来越强烈。为了满足这种要求，东芝推出了组合使用19nm工艺和2bit/单元技术的64Gbit NAND。工艺由原来的24nm微细化至此次的19nm，由此缩小了芯片面积，而且可在嵌入智能手机和平板终端时使用的小型封装内最多层叠16层。为了满足高速化要求，东芝采用了最大可实现400Mbit/秒高速数据传输的接口标准“Toggle DDR 2.0”。