英特尔美光计划在新加坡建闪存工厂

    据国外媒体报道，英特尔和美光科技发表声明称，双方计划在新加坡成立合资企业，生产用于数字媒体播放器等消费电子产品的闪存芯片。 
　　两家公司当天并未透露新厂具体投资金额，但新加坡经济发展局主席林祥源表示投资将达到数十亿美元。据了解，新加坡工厂将成为英特尔与美光科技合资成立的第四家生产工厂，此前双方曾投资24亿美元成立合资企业IM快闪科技，用于生产NAND闪存芯片。 
　　英特尔发言人查克-穆罗伊表示，考虑到法律和税收方面的原因，新厂将成为单独的合资企业，但仍由IM快闪科技负责管理和运营。目前，IM快闪科技在美国爱达荷州和维基尼亚州设有工厂，位于犹他州的工厂正处于紧张装配当中。 
　　据了解，新厂将于明年上半年动工建设，预计将于2008年下半年建成投产。与此同时，新厂将采用最新的50纳米蚀刻技术以及12英寸晶片生产芯片。 
　　根据市场研究机构iSuppli公布的数据显示，今年全球NAND闪存销售收入达到120亿美元，同比将增长17％，这主要是由于数码相机和手机等产品市场需求强劲。而其它闪存生产商主要包括韩国三星电子和现代半导体。