三星开发出首款聚合内存芯片 功耗降低超30%

    12月14日消息，韩国三星电子日前宣布，已经成功开发出超高能效的闪存芯片，该芯片的面世意味着未来的移动产品将变得更为轻便。
　　据english.yna.co.kr报道，该内存属于聚合内存范畴，最高容量达到512MB，与此同时，在提供高容量的前提下，聚合内存在速度方面也比之前的产品提高许多，最值得一提的是，聚合内存的功耗损失比之前的产品低30％之多。 
　　在一份正式技术声明中，三星表示，该聚合内存名为OneDRAM，其中整合了电脑内存DRAM和SRAM的特点和优势。据悉，新型聚合内存将被应用于手机等数字设备。据估算，到2011年的时候，凭借新型内存产品，聚合内存市场总价值将达到25亿美元，而三星电子计划在明年第二季度，大规模生产这种新技术内存产品。