ZDNet China3月11日报道:高通今日宣布,2004年将采用台积电90纳米低介电系数系统单芯片技术,生产其低功率第三代CDMA手机芯片组,之前高通公司几乎都集中委托IBM代工。
除高通外,NVIDIA与ATi均已采用台积电0.11微米工艺量产绘图处理器,估计2004年下半年都将转进90纳米。另外,威盛电子下半年也会启用台积电90纳米工艺。台积电表示,该公司提供客户多样的Nexsys90纳米逻辑工艺技术,包括泛用型(G)、低功耗(LP)及高速(HS)工艺技术。目前台积电的晶圆12厂已使用90纳米工艺技术为客户进行生产。未来晶圆14厂(12寸厂)量产时,也将导入90纳米。(熙平)
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文章链接:https://www.mcu.net.cn/?post=19482
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