IR 推出200V DirectFET MOSFET

    国际整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR标准的 DirectFET 封装技术结合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技术，可实现 95% 的效率。 
    IR 新推出的 200V DirectFET 器件是应用于专为 36V 至 75V 通用输入范围内操作的隔离式 设计DC-DC转换器。其超低的 51 mΩ典型10V 导通电阻RDS(on) 及减低了的栅极电荷，使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载的高频及高效的 DC-DC 转换器、新一代中间总线转换器、DC 马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的 48V 变频器的同步整流。在 48V 通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流 AC-DC 转换器也可以采用新器件进行同步整流。
    IR亚太区高级销售总监曾海邦表示：“我们最新的 200V DirectFET MOSFET 的电流额定值达到 25 安培，但面积仅与0.7 毫米高度的SO-8 封装产品相同，同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低，从而减少导通和开关损耗。一颗DirectFET MOSET就能比较两颗或三颗 SO-8 器件节省超过 50% 的空间。”
    IR 的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。IRF6641TRPbF 与其他采用次级同步整流插座的增强 SO-8 器件相比，当每个插座所使用的增强 SO-8 器件的数目相同时，新的 DirectFET 器件的效率可提高 0.4% 。此外，当每个插座使用两个增强SO-8 器件时，IR 的新器件也能提供同样 7 安培的电流和满载效率。在同一项分析中，每个插座如果采用两颗IRF6641TRPbF 器件的电路，MOSFET 温度是最低的。
    新器件有一个共用MZ 占位面积，可以方便地将应用转换至其他中电压DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100V IRF6662器件。
 
    新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET现已供货。 
    IR已获专利的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优点。其金属罐结构可提供双面冷却功能，使应用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加了一倍。此外，DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。