英飞凌成功推出第五代thinQ!TM SiC肖特基势垒二极

英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管，壮大其SiC(碳化硅)产品阵容。

英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品，如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起，改进了热特性，并使一个优值系数(Qc x Vf)与英飞凌前代SiC二极管相比降低了大约30%。其结果是，新一代产品相对于英飞凌以往各代thinQ!TM 产品， PFC升压级在所有负载条件下的效率都得到了进一步的提升。英飞凌第五代产品的目标应用是高端服务器和电信SMPS(开关模式电源)、PC银盒和照明应用、太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统等。通过利用新一代器件，这些应用不但可以提高能效，而且还可以降低EMI(电磁干扰)，提高系统可靠性，以及缩减成本/尺寸——因制冷要求降低。

“自2001年首度推出SiC肖特基二极管以来，英飞凌大幅改进了其产品，并不断壮大其产品阵容。SiC二极管是与众不同的产品，能引领绿色能源未来。”英飞凌科技股份公司高压功率转换产品部负责人Jan-Willem Reynaerts指出，“第五代SiC二极管相对于以往推出的各代产品，可进一步改进系统能效和功率密度，同时具有极具吸引力的性价比。”

第三代产品的低容性电荷(Qc)值与第二代产品的正向电压(Vf)水平相结合，使第五代产品的PFC电路达到最高效率水平。这种新一代器件具备更高的击穿电压：650V(第二代和第三代为600V)，完美匹配最新的CoolMOSTM技术。对于太阳能逆变器等应用以及具有挑战性的SMPS环境而言，这种特性可实现更高的安全裕度。此外，第五代产品还具备高浪涌电流耐受性和更丰富的型号——包括具备更高额定电流和采用全新封装(如TO-247 和ThinPAK)的产品。

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