Ramtron宣布推出2兆位串口非易失性F-RAM存储器

世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布推出2兆位(Mb)高性能串口F-RAM器件FM25V20。该器件是Ramtron公司V系列F-RAM存储器中的一员，具有2.0 - 3.6V的宽工作电压范围。FM25V20具有快速访问、无延迟（NoDelay™）写入、几乎无限的读/写次数(1e14)及低功耗特性。这款最新F-RAM器件是2Mb 串行闪存和串行EEPROM 存储器的普适型(drop-in)替代产品，其应用范围广泛，包括工业控制、计量、医疗、军事、游戏及计算等应用。

Ramtron市场经理Craig Taylor称：“FM25V20可为严苛的数据采集应用提供更大的非易失性存储容量，并为我们现有的V系列F-RAM存储器客户提供升级到更高密度的简便路径。V系列产品线的扩展支持我们正在实施的提供具有低能耗和高数据完整性的存储器解决方案计划，不再具有其它非易失性存储器中常见的复杂性、开销和系统级可靠性问题。”

关于FM25V20

FM25V20采用先进的铁电工艺，获得达到100万亿(1e14)读/写次数的几乎无限的耐用性，且数据能够可靠地保存10年。FM25V20采用快速串行外设接口(SPI)，以40MHz频率的全速总线速率工作。其运行消耗功率极低，具有2.0V - 3.6V的较宽工作电压范围、100µA的典型待机电流及3µA的睡眠模式电流。FM25V20具有串口V系列器件的标准特性，即只读器件ID特性，使得主机能够确定生产商、产品密度和产品版本。FM25V20可在-40°C 至 +85°C的工业温度范围内工作，并采用符合RoHS标准的“绿色” 8脚EIAJ SOIC 和 8脚TDFN封装供货。

关于F-RAM V系列

Ramtron 公司的V系列F-RAM存储器产品采用低功耗130nm CMOS生产工艺制造，包括串口I2C、串口SPI和并口存储器。整个V系列F-RAM产品包括以下器件：

V系列串口I2C F-RAM
FM24V10 (1Mb)
 FM24V05 (512Kb)
 FM24V02 (256Kb)
 FM24V01 (128Kb)

V系列串口SPI F-RAM
 FM25V20 (2Mb)
 FM25V10 (1Mb)
 FM25V05 (512Kb)
 FM25V02 (256Kb)
 FM25V01 (128Kb)

V系列并口F-RAM
 FM28V100 (1Mb)
 FM28V020 (256Kb)