ST推出采用独有先进技术的新系列射频功率芯片

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出新系列射频（RF）功率晶体管。新系列产品采用先进技术，为政府通信、用于紧急救援的专用移动无线电系统以及L波段卫星上行设备等要求苛刻的重要应用领域提高无线通信系统的性能、稳健性及可靠性。
保安和紧急救援组织及商业通信公司所使用的无线基站和中继器等通信设备必须在输出大功率高频RF信号的同时保持低失真率，这两个相互矛盾的要求使系统设计变得更加复杂，并增加了产品成本。多年来市场应用证明，LDMOS技术可以为设计人员实现这些目标，而意法半导体现在更推出了一项让设备设计人员能够进一步提高系统性能的先进技术。
意法半导体RF产品市场和应用支持经理Serge Juhel表示：“LDMOS是实现高速且稳健的无线通信的关键技术，我们的下一代产品将帮助设备设计人员提高RF功率，而不会降低重要的系统性能指标，包括线性、稳健性及可靠性。我们此次推出的先进产品将为专用移动无线电系统、政府宽带通信、航天通信系统以及卫星上行射频等重要应用领域带来优势。”
LET 系列RF 晶体管采用意法半导体最新的STH5P LDMOS制造技术，拥有更高的功率饱和功能，可最大限度地降低信号在大功率下的失真率。新系列产品的工作频率高达2GHz，且大幅改进了线性、稳健性和可靠性。能效更较上一代LDMOS产品提高了10-15%。
此外，新系列产品的增益也比上一代产品提高3dB，这有助于简化放大器设计，最大幅度地减少元器件数量。其它改进功能还包括击穿电压从65V提高至80V，更佳的热性能可大幅提高系统可靠性和负载失匹功能。
目前LET系列共有6款已量产产品，另外5款产品预计于2011年第四季度投入量产。新产品采用工业标准的倒螺栓封装或耳式封装。
采用价格实惠的Power-SO 10RF塑料贴装的弯曲或竖直引脚的产品目前已在品质检测阶段。