美国技术机构提出两项可提高芯片速度的技术

时间: 2004-12-14 来源:ChinaByte 作者:佚名阅读: 次

ChinaByte7月30日消息美国商务部技术局下属的美国标准与技术研究院(NIST)提出了两项提高计算机芯片性能的技术。一项是改善芯片光学设备分辨率的技术，另一项是测量用于计算机芯片的硅锗符合材料比例的标准。

　　光学设备技术包括制造一种用于读取硅晶圆的所谓“液体透镜”。在光学成分和硅之间加入一个液体层能够把分辨率从目前的100纳米提高到65纳米。把液体透镜概念应用到计算机光学设备中能够制作体积更小和速度更快的芯片。

　　NIST的科学家在一篇论文中介绍说，使用高纯度水作为光学设备和硅之间的界面可以显著减少影响分辨率的光衍射程度。不过，这篇论文的作者警告说，液体透镜对温度变化很敏感。温度变化对采用这项技术的光学设备设计影响很大。

　　NIST提高芯片速度的另一项技术进展是提出了一项标准，帮助测量仪器测量硅锗薄膜中锗含量。锗既是一种半导体也是一种混合剂，能够使硅片表面绷紧提高电子通过的速度。锗的应用能够使芯片的速度提高一倍。

　　但是，准确测量混合在硅薄膜中的锗含量是很困难的。因此NIST制作了一个标准。这个标准包括若干套包含各种不同比例的锗和硅的薄膜。

　　NIST解释说，这个标准是个临时措置，是政府机构与私营企业的首次合作。

　　NIST称，它的标准能够把硅含量的不确定性从采用目前技术测量的5%减少到1%。

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