恩智浦半导体扩张其业界领先的RF Power 晶体管产品线，近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。

针对大范围的L波段雷达应用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准（漏极效率大于50%）、增益（17dB）和达500W的耐用度。


恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括：
•    500W峰值输出功率（在1.4GHz,100µs脉冲宽度，25%占空比时）
•    17dB增益
•    50%漏极效率
•    更佳耐用度
•    能够承受高达5dB的过驱动能力
•    更佳脉冲顶降 （低于0.2dB）
•    供电电压50V
•    无毒封装、符合ROHS标准

恩智浦的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于L波段雷达设计的LDMOS技术优势，其环保的陶瓷封装，可与BeO封装互相替代。

上市时间

恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶体管将很快上市。
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