全球半导体业者竞逐下一个世代记忆体芯片的主导权日趋白热化，东芝和海力士组成的日韩联军、美国美光公司领军的团队，以及南韩三星电子等三大阵营，研发磁阻式随机存取记忆体(MRAM)，要拼谁最快量产。

日本的东芝和南韩的海力士公司，最快将于2016年度起合作量产新型记忆体芯片MRAM，比美国半导体大厂美光科技(Micron Technology)规划的2018年早约两年。

东芝和海力士正研发的MRAM在关掉电源后，仍能保存数据资料。相较于目前广泛使用在PC、智能手机和其他装置的动态随机存取记忆体(DRAM)，MRAM的资料储存量高出九倍，耗电量仅三分之二。

东芝和海力士于2011年同意携手开发MRAM，希望明年度就能开始提供由首尔郊外海力士晶圆厂生产的样品。双方的计划是让MRAM在南韩量产，如果需求达标，将组成合资公司，投入1,000亿日圆(9.4亿美元)资金，在日本或南韩开辟专属生产线。

除东芝和海力士外，全球还有两大阵营在各自努力推动MRAM 的商业化。美光现正与包括东京威力科创在内约20家美、日半导体业者合作，力图在2018年实现量产的目标。南韩的三星电子公司也不落人后，目前维持自主研发路线。

MRAM

磁阻式随机存取记忆体(MRAM)是数位资讯存取市场中的新兴记忆体技术。MRAM 具非挥发性、读写速度快、无限次读写、低耗能等优点，商业化应用仍在开发阶段。

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