美国半导体厂商Micron美光表示，他们将于2007年在NAND闪存业务上投入35亿美金的巨资，以扩充生产NAND闪存的设备之用。  

　　产业分析师认为，美光之所以35亿美金巨资押宝NAND闪存，一方面在于看好NAND闪存在计算机产品、消费电子产品上的应用前景，另外，美光也希望借此在和三星电子、东芝等竞争对手的NAND大战当中保持优势地位。 

　　美光之前和Intel合资成立IM Flash公司，目前的主营业务就是NAND闪存。IM Flash公司的竞争对手包括三星、Hynix、东芝以及部分台湾厂商。美光和Intel希望合资公司在芯片工艺和产能上都不会输于竞争对手。IM Flash将在NAND闪存工艺上率先釆用50nm工艺，在2008年底到2009年初，12英寸50nm NAND产品将投入量产。

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