3月10日消息，据外电报道，英特尔闪存部门战略策划经理Greg Komoto日前表示，到2010年，当前的闪存技术将逐渐被相变存储OUM所取代。 

　　据英国媒体报道，Komoto日前表示，英特尔始终认为，与MRAM和FeRAM技术相比，Ovonic统一存储（OUM），即相变存储，是闪存的最佳替代品。 

　　最初，OUM由英特尔和Ovonyx联合开发。2000年，英特尔入股Ovonyx。此后，Ovonyx先后向意法半导体、日本的Elpida，以及三星授权OUM存储技术，作为闪存的潜在替代品。

　　2002年，英特尔与Azalea Microelectronics合作，基于0.18微米工艺开发出了OUM芯片原型。此后，英特尔便独自尝试0.13微米工艺。英特尔开发OUM存储最早要追溯于1970年9月，当时由英特尔联合创始人戈登-摩尔提出。

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