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三星部分产能转向NAND闪存 公司市场份额猛增

时间:   来源:嵌入网   作者:佚名   阅读:

iSuppli公司日前表示,2007年第2季度三星电子(Samsung)NAND闪存销售额达到14亿美元,比第1季度的12亿美元增长18.9%。三星在2007年上半年将部分产能从DRAM转向NAND闪存,该公司的NAND市场份额猛增至45.9%,比1季度的44.1%高几乎两个百分点。

iSuppli内存/存储系统首席分析师Nam Hyung Kim表示,“三星第2季度表现强劲主要是按容量计算增长11%,出货量增加归功于扩大苹果iPhone和iPod等消费电子市场。同时,东芝(Toshiba)由于处于56纳米工艺迁移初期,按容量计算仅增长2%。不过,iSuppli预计东芝56纳米生产工艺稳定后,出货量增长将超过30%。”

三星销售收入增长18.9%,在NAND市场表现强于两大竞争对手东芝和Hynix Semiconductor(海力士半导体)。东芝销售表现疲软,第2季度的市场份额比三星低18.4%,第1季度比三星低13.4%。根据iSuppli透露,Hynix由于60纳米工艺过程迁移遇阻,NAND闪存按容量计算出货量降低4%。

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