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传东芝新技术将NAND闪存寿命提高百倍

时间:   来源:嵌入网   作者:佚名   阅读:

    9月29日消息,据外电报道,硬盘厂商东芝显然找到了解决固态硬盘最头疼的问题的答案。NAND闪存芯片有写入次数的限制,因此在使用寿命方面明显低于机电硬盘。但是,据nikkei.net网站报道,东芝有一项内部设计能够把NAND闪存的写入覆盖次数提高100倍。 

  东芝采用的这种设计是把数据写入DRAM内存,而不是直接写入到NAND闪存,特别是对于目前经常写入到硬盘的那些数据。DRAM内存中存储的数据在关机前将被传送到NAND闪存。

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