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三星与东芝互授NAND闪存技术 以期拓宽市场

时间:   来源:嵌入网   作者:佚名   阅读:

三星电子与东芝公司日前表示,两家公司已经签署了互相授权许可协议。双方可以制造、行销和销售对方的NAND闪存专利产品,以期拓宽OEM市场供应渠道。

根据协议,两家公司将共享三星OneNAND和东芝LBA-NAND内存芯片的技术和品牌。预计将可以增加全球的闪存器件供应,减少OEM厂商对市场单一供应的依赖。

三星将授权东芝其集成OneNAND和Flex-OneNAND“fusion”内存芯片,而东芝将授权其单芯片封装LBA-NAND和移动mobileLBA-NAND LBA NAND闪存芯片给三星。

2008年,三星和东芝计划分别推出基于相互授权的产品。

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