韩国电子公司三星宣布，因英特尔推出5500系列Xeon服务器处理器，刺激需求增长，公司决定增加50奈米制程技术的DDR3 DRAM之产能。

DDR3是第三代的双倍数据率同步动态随机存取内存。三星和其它公司相信DDR3将在今年底前，成为DRAM技术产业的主流。然而有些分析师，包括Needham & Co. LLC的Edwin Mok等，则认为DDR3今年内，尚无法攻下太多市占率。

三星表示，OEM厂商能够为其DDR3设计容量达192GB的服务器，且耗电量较采用DDR2之机种少60%，系统效能也将高出两倍。

新认证的DDR3芯片，执行速度规格有每秒800、1066、1333兆位等。同时，相较于60 奈米制程技术的DDR3 DRAM，每秒1333兆位的芯片可以省下40%电力。

------------ ---------- ----------- ---------- --------- -------- ------- ------ ----- ---- --- -- -  -  -

• 上一篇：日本拟取消海力士存储芯片惩罚性关税
• 下一篇：美研制出纳米级忆阻器芯片