耶鲁大学的研究人员和Semiconductor Research Corp （SRC）称利用铁电材料制作存储器来代替DRAM和闪存非常合适。目前DRAM技术必须每几个毫秒就刷新一下，而铁电存储器可以持续几分钟而无需刷新。

耶鲁大学和SRC的研究人员制成了一种用于FeDRAM的铁电晶体管实验样品，该FeDRAM保存信息的时间比DRAM长1000倍，而功耗仅为DRAM的1/20，而且尺寸可以缩至ITRS上的最先进节点。

“我们的存储器的速度至少和DRAM一样快，但尺寸和闪存一样小，且更易微缩。”耶鲁大学教授Tso-Ping Ma说道，“闪存在25nm节点会遇到障碍，但FeDRAM可随CMOS工艺一同微缩至10nm以下。”

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