本报讯 英特尔已拟定一个计划，将大举扩充闪存生产线，计划2004年产能将达2003年的3倍以上。

　　英特有关人士表示，为拿回全球闪存市占第一，正积极进行扩充产能动作，除计划在2004年将闪存产能提升为2003年的3倍以外，更将持续进行扩产动作，计划在2006年将闪存产能提升为2003年的10倍以上。

　　台湾厂商表示，英特尔积极扩充闪存产能，主要是冲着三星而来，近来三星全面扩产NOR型与NAND型闪存产能的动作，让英特尔如坐针毡，再加上包括FASL(超微与富士通的合资公司)、海力士、英飞凌、意法微电子及东芝等业者，近来亦致力扩充闪存产能，迫使英特尔痛下决心、全面展开反击。（宗禾）

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