- 2009-12-09 SE2600S集成功率放大器(SiGe半导体公司)
- SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 宣布扩大其无线LAN和蓝牙(Bluetooth) 产品系列，推出带有蓝牙端口的高性能单芯片集成式前端模块 (front end module, FEM) 产品，型号为SE2600S。 SiGe半导体WiMAX及
- 2009-12-09 具有内部基准的四通道轨至轨I2C DAC LTC2635（Line
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出四通道 12 位、10 位和 8 位轨至轨数模转换器 (DAC) LTC2635，该器件采用纤巧 3mm x 3mm QFN 和 MSOP 封装，集成了一个精确的 10ppm/°C 基准。订购选项
- 2009-12-08 低噪声12/16位△-∑ ADC AD7170和AD7171（ADI）
- ADI最新推出12位和16位小型封装 ADC 器件——AD7170和AD7171，为便携式工业及医疗仪器仪表设备提供新的噪声性能水平，并可实现低功耗运行。12位 AD7170 ADC 与16位 AD7171 ADC具有125Hz 的输出数
- 2009-12-07 超低功耗250MSPS 14位ADC ADS4149（TI）
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出最新高速模数转换器 (ADC) 系列的首款解决方案，其可从 DC 到高达 550MHz 的整个信号带宽内实现超低功耗及优异的动态性能。该款 14 位 ADS4149 拥有 250兆次每
- 2009-12-04 针对应用选择正确的MOSFET驱动器
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- 2009-12-03 高灵敏度、高动态范围互阻放大器（Maxim）
- Maxim推出高灵敏度、高动态范围TIA (互阻放大器) MAX3806，用于汽车自动巡航控制、工业安全防护屏障和消费类电子测距产品/建筑测距仪等激光测距系统。该款TIA能够接收低至42nAP-P的输入
- 2009-12-02 两款N沟道MOSFET（Diodes）
- Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。 ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计，能满足各种VoI
- 2009-12-02 新型高速18V MOSFET驱动器（ADI）
- Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驱动器系列，该系列产品可提供2A 和4A 的峰值电流。该系列产品具有14 ns 至35 ns 的传播延迟和10 ns 至25 ns 的边沿上升/下降时间。新型 ADP36xx
- 2009-11-20 采用薄型封装的MicroFET（飞兆）
- 飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTre
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