- 2008-12-29 宽带低噪声放大器GaAs MMIC（新日本无线）
- 新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器（下称LNA）GaAsMMICNJG1129MD7，现开始样品供货。 近年来，手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加，
- 2008-12-23 全新ESD保护二极管（ST）
- 意法半导体（ST）推出全新ESD保护二极管产品系列，新产品的尺寸比上一代缩小67%，能够承受最严格的IEC61000-4-2标准的ESD测试脉冲，低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的
- 2008-12-23 新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
- 日前，VishayIntertechnology,Inc.日前宣布推出新型20-V和30-Vp-通道TrenchFET功率MOSFET---Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20-V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 现有的同类
- 2008-12-22 完全自保护式低压侧MOSFET（Diodes）
- Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3mmx2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3mmx6.7mmSOT223封装的元件相比节省了85%的占板
- 2008-12-22 模拟开关与音频放大器二合一芯片（ST）
- 意法半导体（ST）推出音频放大器与模拟开关二合一芯片TS4961T，通过在单一封装内整合一个隔离度–80dB的模拟开关和一个1.6W的D类功率放大器，新产品可以简化手机和便携媒体播放器的
- 2008-12-22 新型IHLP超薄大电流电感器（Vishay）
- 日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出采用2020封装尺寸的新型IHLP超薄大电流电感器---IHLP-2020BZ-11。这款小型器件IHLP-2020BZ-11具有2.0mm超薄厚度、广泛的电感范围和较低的DCR。 凭借高达1MHz的
- 2008-12-22 新型2.7W无滤波单通道D类音频功率放大器（Maxic）
- 美芯晟科技（北京）有限公司（MaxicTechnologyCorporation）宣布推出新型2.7W无滤波单通道D类音频功率放大器---MT6802。该器件具有高输出功率、高电源抑制比、低失真等特点，主要应用于移动
- 2008-12-18 双路LDO电压调整器芯片（特瑞仕）
- 特瑞仕半导体株式会社在日本东京开发了XC6416系列是高精度、低噪音、高纹波抑制比、低压差，采用CMOS工艺的双路LDO电压调整器芯片。 XC6416系列是高精度、低噪音、高纹波抑制比、低压
- 2008-12-18 全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）
- 国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 新器件的封装电流额定值达
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